예천읍 상동리 권오엽 씨의 손자이자, 권기원(미국 스탠포드대학교 박사·성균관대학교 반도체시스템공학과 교수)씨의 장남 권세현 씨가 지난 8월 26일 한양대학교 대학원에서 'Z2-FET 격자를 이용한 디램의 전기적인 성능 향상과 신호 지속 시간 연장에 관한 고찰'이라는이연구논문으로 공학박사 학위를 받았다.
연구논문에서는 메모리 반도체 소자들 가운데 가장 중요한 소자인 디램의 기술적 한계들을 극복할 수 있는 핵심 기술들을 새로운 소자구조를 이용하여 극복하였다.
신호 지속 시간의 확장은 휘발성 소자의 취약점인 큰 대기전력을 획기적으로 줄일 수 있는 해결책을 제공함은 물론, 인공지능 반도체나 자율주행 반도체 등의 차세대 시스템반도체 분야에서의 활용가능성을 보여준 의미있는 연구결과라고 인정받아 저명한 미국전기전자공학회 학술지 'Electron Device Letters' 등에 게재되었다.
권씨는 9월부터 부친이 성균관대학교로 부임하기 전에 근무하던 삼성전자 반도체연구소에서 차세대 메모리반도체를 개발하는 연구원으로 근무를 시작했다.
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